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Fiche technique
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IXFR10N100Q

Numéro de produit DigiKey
IXFR10N100Q-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFR10N100Q
Description
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 9 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant ISOPLUS247™
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™, Q Class
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,2ohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5,5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2900 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
ISOPLUS247™
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFR10
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