TO-268
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IXFT18N100Q3

Numéro de produit DigiKey
IXFT18N100Q3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXFT18N100Q3
Description
MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
46 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 18 A (Tc) 830W (Tc) Montage en surface TO-268AA
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
660mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
6,5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4890 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
830W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-268AA
Boîtier
Numéro de produit de base
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Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
300Fr. 10.66050Fr. 3’198.15
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 10.66050
Prix unitaire avec TVA:Fr. 11.52400