Name: IXTA1N200P3HV-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1N200P3HV-TRLTR-ND
Price: 9.05878 CHF
Availability: InStock

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IXTA1N200P3HV-TRL
Numéro de produit DigiKey	238-IXTA1N200P3HV-TRLTR-ND - Bande et bobine 238-IXTA1N200P3HV-TRLCT-ND - Bande coupée (CT) 238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTA1N200P3HV-TRL
Description	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface TO-263HV
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	2000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	646 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263HV
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IXTA1