IXTH32N65X est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IXTH32N65X

Numéro de produit DigiKey
IXTH32N65X-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXTH32N65X
Description
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 32 A (Tc) 500W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
135mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2205 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247 (IXTH)
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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