Recommandation fabricant
Similaire
Similaire
Similaire

IXTH64N65X | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTH64N65X-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTH64N65X |
Description | MOSFET N-CH 650V 64A TO247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 64 A (Tc) 890W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 143 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5500 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 890W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-247 (IXTH) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 51mohms à 32A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH62N65X2 | IXYS | 350 | IXTH62N65X2-ND | Fr. 10.54000 | Recommandation fabricant |
| FCH47N60N | onsemi | 1’816 | 1990-FCH47N60N-ND | Fr. 10.98000 | Similaire |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | Fr. 6.14000 | Similaire |
| SIHG47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 403 | SIHG47N60EF-GE3-ND | Fr. 8.85000 | Similaire |





