Name: IXTP3N120
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP3N120-ND
Price: 8.1075 CHF
Availability: InStock

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IXTP3N120
Numéro de produit DigiKey	238-IXTP3N120-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTP3N120
Description	MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1350 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IXTP3

Product Questions and Answers

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 7.50000	Fr. 7.50
50	Fr. 4.13380	Fr. 206.69
100	Fr. 3.80980	Fr. 380.98
500	Fr. 3.37990	Fr. 1’689.95

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.