Name: IXTT170N10P-TR
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT170N10P-TR-ND
Price: 8.32698 CHF
Availability: OutOfStock

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IXTT170N10P-TR
Numéro de produit DigiKey	238-IXTT170N10P-TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTT170N10P-TR
Description	MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 170 A (Tc) 715W (Tc) Montage en surface TO-268
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant IXYS	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 198 nC @ 10 V
Série Polar	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6000 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 715W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-268
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 170 A (Tc)	Boîtier TO-268-3, D3PAK (2 sorties + languette), TO-268AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V, 15V	Numéro de produit de base IXTT170
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 85A, 10V