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1N4007 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 37’938
Prix unitaire : Fr. 0.63000
Fiche technique
Mise à niveau
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 17’334
Prix unitaire : Fr. 0.48000
Fiche technique
Mise à niveau
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 12’953
Prix unitaire : Fr. 0.65000
Fiche technique
Similaire
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En stock: 25’271
Prix unitaire : Fr. 0.22000
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En stock: 150’233
Prix unitaire : Fr. 0.17000
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En stock: 5’362
Prix unitaire : Fr. 0.19000
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En stock: 19’848
Prix unitaire : Fr. 0.26000
Fiche technique
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 132’733
Prix unitaire : Fr. 0.10000
Fiche technique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
1N4007 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1N4007MSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | 1N4007 |
Description | DIODE STANDARD 1000V 1A DO41 |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1000 V 1A Trou traversant DO-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | 1N4007 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | ||
Tension - CC inverse (Vr) (max.) | 1000 V | |
Courant - Moyen redressé (Io) | 1A | |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If | 1.1 V @ 1 A | |
Vitesse | Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) | |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 2 µs | |
Courant - Fuite inverse à Vr | 5 µA @ 1000 V | |
Capacité à Vr, F | - | |
Type de montage | ||
Boîtier | ||
Boîtier fournisseur | DO-41 | |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
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Suisse