MSJP20N65-BP est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Goford Semiconductor
En stock: 22
Prix unitaire : Fr. 3.06000
Fiche technique
TO-220-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TO-220-3

MSJP20N65-BP

Numéro de produit DigiKey
353-MSJP20N65-BP-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
MSJP20N65-BP
Description
MOSFET N-CH TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
36 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 20 A (Tc) 151W (Tc) Trou traversant TO-220AB (H)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1724 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
151W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB (H)
Boîtier
Numéro de produit de base
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0 en stock
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Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 4.58000Fr. 4.58
50Fr. 2.63560Fr. 131.78
100Fr. 2.43040Fr. 243.04
500Fr. 2.02046Fr. 1’010.23
1’000Fr. 1.96720Fr. 1’967.20
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 4.58000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 4.95098