Canal N 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
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2N7000-G

Numéro de produit DigiKey
2N7000-G-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
2N7000-G
Description
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
4 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
2N7000-G Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 1mA
Fabricant
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
Sac
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
60 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
5ohms à 500mA, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
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Tous les prix sont en CHF
Sac
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 0.39000Fr. 0.39
25Fr. 0.32720Fr. 8.18
100Fr. 0.28820Fr. 28.82
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.39000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.42159