Canal N 200 V 317 A (Tc) 1 136W (Tc) Montage sur châssis SP6
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APTM20DAM05G

Numéro de produit DigiKey
APTM20DAM05G-ND
Fabricant
Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant
APTM20DAM05G
Description
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 317 A (Tc) 1 136W (Tc) Montage sur châssis SP6
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Microchip Technology
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
317 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6mohms à 158,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
448 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
27400 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier fournisseur
SP6
Boîtier
SP6
Numéro de produit de base
APTM20
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