
ICPB1010-1-110I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 150-ICPB1010-1-110I-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ICPB1010-1-110I |
Description | DC-14 GHZ 50W DISCRETE GAN HEMT |
Référence client | |
Description détaillée | RF MOSFET 28 V 500 mA 14GHz 6,1dB 50W MATRICE |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Microchip Technology | |
Série | - | |
Conditionnement | Boîte | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | GaN HEMT | |
Configuration | - | |
Fréquence | 14GHz | |
Gain | 6,1dB | |
Tension - Test | 28 V | |
Courant nominal (A) | 4A | |
Facteur de bruit | - | |
Courant - Test | 500 mA | |
Puissance - Sortie | 50W | |
Tension - Nominale | 28 V | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | MATRICE | |
Boîtier fournisseur | MATRICE |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 133.12000 | Fr. 133.12 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 133.12000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 143.90272 |



