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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
JAN1N5620US/TR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 150-JAN1N5620US/TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | JAN1N5620US/TR |
Description | DIODE STANDARD 800V 1A D5A |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 34 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 800 V 1A Montage en surface D-5A |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 2 µs |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 500 nA @ 800 V |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Militaire |
Statut du composant Actif | Qualification MIL-PRF-19500/427 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 800 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur D-5A |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.3 V @ 3 A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 200°C |
Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) |
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Ressources supplémentaires
Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5620US | Microchip Technology | 0 | 1N5620US-ND | Fr. 6.80205 | Équivalent paramétrique |
| 1N5620US/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5620US/TR-ND | Fr. 6.94606 | Équivalent paramétrique |
| JAN1N5620US | Microchip Technology | 0 | 1086-19424-ND | Fr. 6.62210 | Équivalent paramétrique |
| JANS1N5620US | Microchip Technology | 0 | JANS1N5620US-ND | Fr. 45.89900 | Équivalent paramétrique |
| JANS1N5620US/TR | Microchip Technology | 0 | 150-JANS1N5620US/TR-ND | Fr. 46.01900 | Équivalent paramétrique |
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100 | Fr. 6.75410 | Fr. 675.41 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 6.75410 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 7.30118 |
