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1N5811URS
Microchip Technology
En stock: 0
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Fiche technique

Équivalent paramétrique

1N5811US
Microchip Technology
En stock: 3’070
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Fiche technique

Équivalent paramétrique

1N5811USE3
Microchip Technology
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 5.25603
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Équivalent paramétrique

JAN1N5811URS
Microchip Technology
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 12.12000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

JANS1N5811US
Microchip Technology
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 18.17000

Équivalent paramétrique

JANTX1N5811URS
Microchip Technology
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 14.06410
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JANTX1N5811US
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JANTXV1N5811URS
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JANTXV1N5811US
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Équivalent paramétrique

MNS1N5811US/TR
Microchip Technology
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 6.07200
Fiche technique
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B, SQ-MELF
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MNS1N5811US

Numéro de produit DigiKey
150-MNS1N5811US-ND
Fabricant
Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant
MNS1N5811US
Description
DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
35 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 150 V 3A Montage en surface B, SQ-MELF
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Microchip Technology
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
Standard
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
150 V
Courant - Moyen redressé (Io)
3A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
875 mV @ 4 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
30 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
5 µA @ 150 V
Capacité à Vr, F
60pF à 10V, 1MHz
Grade
Militaire
Qualification
MIL-PRF-19500/477
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
SQ-MELF, B
Boîtier fournisseur
B, SQ-MELF
Température de fonctionnement - Jonction
-65°C ~ 175°C
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
89Fr. 6.33596Fr. 563.90
Prix unitaire sans TVA:Fr. 6.33596
Prix unitaire avec TVA:Fr. 6.84917