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Canal N 1200 V 21 A (Tc) 147W (Tc) Trou traversant TO-247-4
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MSC180SMA120B4N

Numéro de produit DigiKey
150-MSC180SMA120B4N-ND
Fabricant
Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant
MSC180SMA120B4N
Description
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-24
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
4 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 21 A (Tc) 147W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Microchip Technology
Série
MSiC™ MA
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
225mohms à 8A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 500µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
36 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+23V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
481 pF @ 1200 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
147W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4
Boîtier
TO-247-4
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Quantité
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1Fr. 4.86000Fr. 4.86
25Fr. 4.48040Fr. 112.01
100Fr. 3.89860Fr. 389.86
Prix unitaire sans TVA:Fr. 4.86000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 5.25366