MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV), 700V 173A (Tc), 124A (Tc) 745W (Tc), 365W (Tc) Montage sur châssis
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MSCSM120HRM163AG

Numéro de produit DigiKey
150-MSCSM120HRM163AG-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
MSCSM120HRM163AG
Description
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 173A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV), 700V 173A (Tc), 124A (Tc) 745W (Tc), 365W (Tc) Montage sur châssis
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
MSCSM120HRM163AG Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Microchip Technology
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (inverseur trois niveaux)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV), 700V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
173A (Tc), 124A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
16mohms à 80A, 20V, 19mohms à 40A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
2,8V à 6mA, 2,4V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
464nC, 215nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6040pF à 1000V, 4500pF à 700V
Puissance - Max.
745W (Tc), 365W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
-
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