Canal N 100 V 500mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
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TN0610N3-G

Numéro de produit DigiKey
TN0610N3-G-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
TN0610N3-G
Description
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
4 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 500mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
TN0610N3-G Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 1mA
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Sac
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
150 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
3V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,5ohms à 750mA, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
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Ressources supplémentaires
En stock: 2’122
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Sac
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 1.00000Fr. 1.00
25Fr. 0.82560Fr. 20.64
100Fr. 0.76340Fr. 76.34
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.00000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.08100