Name: VP2110K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: VP2110K1-GTR-ND
Price: 0.71346 CHF
Availability: InStock

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VP2110K1-G
Numéro de produit DigiKey	VP2110K1-GTR-ND - Bande et bobine VP2110K1-GCT-ND - Bande coupée (CT) VP2110K1-GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	VP2110K1-G
Description	MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	36 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Montage en surface TO-236AB (SOT23)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	VP2110K1-G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Microchip Technology
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 1mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	60 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	360mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-236AB (SOT23)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	VP2110