Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650FBEZTR-ND
Price: 5.77254 CHF
Availability: InStock

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GAN190-650FBEZ
Numéro de produit DigiKey	1727-GAN190-650FBEZTR-ND - Bande et bobine 1727-GAN190-650FBEZCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GAN190-650FBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GAN190-650FBEZ
Description	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 11,5 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles DFN5060-5
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V
Rds On (max.) à Id, Vgs	190mohms à 3,9A, 6V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 12,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2.8 nC @ 6 V
Vgs (max.)	+7V, -1,4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	96 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	DFN5060-5
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	GAN190