PHB193NQ06T,118 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Mise à niveau


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 3.06000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 1’675
Prix unitaire : Fr. 3.46000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 236
Prix unitaire : Fr. 3.50000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 754
Prix unitaire : Fr. 2.67000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 1’572
Prix unitaire : Fr. 1.86000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 349
Prix unitaire : Fr. 2.82000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 186
Prix unitaire : Fr. 1.84000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 850
Prix unitaire : Fr. 2.02000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 9’066
Prix unitaire : Fr. 3.71000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 4’611
Prix unitaire : Fr. 2.41000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 5’411
Prix unitaire : Fr. 2.35000
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 800
Prix unitaire : Fr. 2.15000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 2.77867
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 338
Prix unitaire : Fr. 6.50000
Fiche technique
D2PAK SOT404
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

PHB193NQ06T,118

Numéro de produit DigiKey
PHB193NQ06T,118-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
PHB193NQ06T,118
Description
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 75 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
85.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5082 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.