PMDPB55XP,115 Nexperia USA Inc. | Matrices de FET, MOSFET

MOSFET - Matrices 20V 3,4A 490mW Montage en surface 6-HUSON (2x2)

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PMDPB55XP,115
Numéro de produit DigiKey	1727-PMDPB55XP,115TR-ND - Bande et bobine 1727-PMDPB55XP,115CT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PMDPB55XP,115DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PMDPB55XP,115
Description	MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 3,4A 490mW Montage en surface 6-HUSON (2x2)
Fiche technique	Fiche technique

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Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 785pF à 10V
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Puissance - Max. 490mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 6-UFDFN plot exposé
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 6-HUSON (2x2)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,4A	Numéro de produit de base PMDPB55
Rds On (max.) à Id, Vgs 70mohms à 3,4A, 4,5V

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (5)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMP2160UFDB-7	Diodes Incorporated	711	DMP2160UFDB-7DICT-ND	Fr. 0.67000	Similaire
SIA907EDJT-T1-GE3	Vishay Siliconix	2’958	SIA907EDJT-T1-GE3CT-ND	Fr. 1.62000	Similaire
SIA921EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	28’551	SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND	Fr. 0.99000	Similaire
SIA921EDJ-T4-GE3	Vishay Siliconix	2’569	742-SIA921EDJ-T4-GE3CT-ND	Fr. 0.92000	Similaire
TSM500P02DCQ RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	67’025	TSM500P02DCQRFGCT-ND	Fr. 0.84000	Similaire

En stock: 897

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Quantité

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