Name: PMV45EN2VL
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMV45EN2VL-ND
Price: 0.07808 CHF
Availability: OutOfStock

PMV45EN2VL est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.

Substituts disponibles:

Similaire

onsemi

En stock: 79’549

Prix unitaire : Fr. 0.45000

Similaire

onsemi

En stock: 51’711

Prix unitaire : Fr. 0.34000

Similaire

Vishay Siliconix

En stock: 8’065

Prix unitaire : Fr. 0.31000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

PMV45EN2VL
Numéro de produit DigiKey	PMV45EN2VL-ND - Bande et bobine
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PMV45EN2VL
Description	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 5,1 A (Ta) 510mW (Ta) Montage en surface TO-236AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	PMV45EN2VL Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	TrenchMOS™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	42mohms à 4,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	209 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	510mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-236AB
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	PMV45EN2