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PSMN2R6-60PSQ est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
PSMN2R6-60PSQ | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1727-1057-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | PSMN2R6-60PSQ |
Description | MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 150 A (Tc) 326W (Tc) Trou traversant TO-220AB |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 140 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7629 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 326W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-220AB |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,6mohms à 25A, 10V | Numéro de produit de base |
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Ressources supplémentaires
Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT260L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 2’023 | 785-1273-5-ND | Fr. 3.72000 | Similaire |
| CSD18535KCS | Texas Instruments | 1’626 | 296-47696-ND | Fr. 3.20000 | Similaire |
| FDP020N06B-F102 | onsemi | 1’526 | FDP020N06B-F102-ND | Fr. 5.31000 | Similaire |
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | 2’665 | IRFB7730PBF-ND | Fr. 3.63000 | Similaire |
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 43 | TK100E06N1S1X-ND | Fr. 3.38000 | Similaire |
Obsolète
