PMPB08R5XNX Nexperia USA Inc. | Produits semi-conducteurs discrets

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PMPB08R5XNX
Numéro de produit DigiKey	1727-PMPB08R5XNXTR-ND - Bande et bobine 1727-PMPB08R5XNXCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PMPB08R5XNXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PMPB08R5XNX
Description	PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 11 A (Ta) 1,9W (Ta), 12,5W (Tc) Montage en surface DFN2020M-6

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10mohms à 11A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1774 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,9W (Ta), 12,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DFN2020M-6
Boîtier	6-UDFN plot exposé