FDZ294N onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FDZ294N
Numéro de produit DigiKey	FDZ294NTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDZ294N
Description	MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 6 A (Ta) 1,7W (Ta) Montage en surface 9-BGA (1,5x1,6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDZ294N Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	23mohms à 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	670 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,7W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	9-BGA (1,5x1,6)
Boîtier	9-VFBGA
Numéro de produit de base	FDZ29