PMN25UN,115 NXP USA Inc. | FET, MOSFET simples

PMN25UN,115 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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STMicroelectronics

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Prix unitaire : Fr. 0.68000

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PMN25UN,115
Numéro de produit DigiKey	568-10417-2-ND - Bande et bobine
Fabricant	NXP USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PMN25UN,115
Description	MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 6 A (Ta) 530mW (Ta), 6,25W (Tc) Montage en surface SC-74
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant NXP USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 470 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 530mW (Ta), 6,25W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta)	Boîtier fournisseur SC-74
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier SC-74, SOT-457
Rds On (max.) à Id, Vgs 27mohms à 6A, 4,5V	Numéro de produit de base PMN2

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
STT5N2VH5	STMicroelectronics	10’626	497-STT5N2VH5CT-ND	Fr. 0.68000	Similaire

Obsolète

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PMN25UN,115