PMR290XN,115 NXP USA Inc. | Produits semi-conducteurs discrets

PMR290XN,115 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 1’215’810

Prix unitaire : Fr. 0.09000

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PMR290XN,115
Numéro de produit DigiKey	568-7437-2-ND - Bande et bobine
Fabricant	NXP USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PMR290XN,115
Description	MOSFET N-CH 20V 970MA SC75
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 970mA (Tc) 530mW (Tc) Montage en surface SC-75
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	NXP USA Inc.
Série	TrenchMOS™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	970mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	350mohms à 200mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.72 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	34 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	530mW (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-75
Boîtier	SC-75, SOT-416
Numéro de produit de base	PMR2