Name: FCD360N65S3R0
Brand: onsemi
SKU: FCD360N65S3R0OSTR-ND
Price: 2.61602 CHF
Availability: InStock

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FCD360N65S3R0
cms-digikey-product-number	FCD360N65S3R0OSTR-ND - Bande et bobine FCD360N65S3R0OSCT-ND - Bande coupée (CT) FCD360N65S3R0OSDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	FCD360N65S3R0
cms-description	MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
cms-standard-lead-time	17 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 650 V 10 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK)
Fiche technique	Fiche technique
cms-eda-cad-models	FCD360N65S3R0 Modèles

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET® III
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	360mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	730 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252 (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FCD360