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NTJS3151PT1G
onsemi
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Canal P 12 V 2 A (Ta) 800mW (Ta) Montage en surface SC-70FL/MCPH3
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MCH3382-TL-W

Numéro de produit DigiKey
MCH3382-TL-WOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
MCH3382-TL-W
Description
MOSFET P-CH 12V 2A SC70FL/MCPH3
Référence client
Description détaillée
Canal P 12 V 2 A (Ta) 800mW (Ta) Montage en surface SC-70FL/MCPH3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
198mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
900mV à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±9V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
170 pF @ 6 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SC-70FL/MCPH3
Boîtier
3-SMD, broches plates
Numéro de produit de base
MCH33
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Obsolète
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