Canal P 60 V 28 A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Trou traversant TO-220ML
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2SJ652

Numéro de produit DigiKey
2SJ652-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
2SJ652
Description
MOSFET P-CH 60V 28A TO220ML
Référence client
Description détaillée
Canal P 60 V 28 A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Trou traversant TO-220ML
Modèles EDA/CAO
2SJ652 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Sac
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
28 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
38mohms à 14A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4360 pF @ 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220ML
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
2SJ652
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Obsolète
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