3LN01C-TB-E onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

3LN01C-TB-E est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : Fr. 0.25000

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3LN01C-TB-E
Numéro de produit DigiKey	3LN01C-TB-EOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	3LN01C-TB-E
Description	MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Montage en surface SC-59-3/CP3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	3LN01C-TB-E Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	150mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,7ohms à 80mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.58 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	250mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-59-3/CP3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	3LN01