Name: AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDNOSTR-ND
Price: 5.53472 CHF
Availability: InStock

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AFGB40T65SQDN
Numéro de produit DigiKey	AFGB40T65SQDNOSTR-ND - Bande et bobine AFGB40T65SQDNOSCT-ND - Bande coupée (CT) AFGB40T65SQDNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	AFGB40T65SQDN
Description	IGBT 650V 80A TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT 650 V 80 A 238 W Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AFGB40T65SQDN Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT IGBT simples	Charge de grille 76 nC
Fabricant onsemi	Td (on/off) à 25°C 17,6ns/75,2ns
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Condition de test 400V, 40A, 6ohms, 15V
Statut du composant Actif	Temps de recouvrement inverse (trr) 131 ns
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 650 V	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 80 A	Grade Automobile
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 160 A	Qualification AEC-Q101
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,1V à 15V, 40A	Type de montage Montage en surface
Puissance - Max. 238 W	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Énergie de commutation 858µJ (marche), 229µJ (arrêt)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Type d'entrée Standard	Numéro de produit de base AFGB40