Name: BVSS123LT1G
Brand: onsemi
SKU: BVSS123LT1GOSTR-ND
Price: 0.36754 CHF
Availability: InStock

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BVSS123LT1G
Numéro de produit DigiKey	BVSS123LT1GOSTR-ND - Bande et bobine BVSS123LT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) BVSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	BVSS123LT1G
Description	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	46 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BVSS123LT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs (max.) ±20V
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 20 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 225mW (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 170mA (Ta)	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 6ohms à 100mA, 10V	Numéro de produit de base BVSS123
Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 1mA