CPH3356-TL-W onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

CPH3356-TL-W est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

onsemi

En stock: 1’939

Prix unitaire : Fr. 0.66000

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CPH3356-TL-W
Numéro de produit DigiKey	CPH3356-TL-WOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	CPH3356-TL-W
Description	MOSFET P-CH 20V 2.5A 3CPH
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2,5 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface 3-CPH
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CPH3356-TL-W Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	137mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	250 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	3-CPH
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	CPH3356