DTC123EET1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


Diodes Incorporated
En stock: 3’000
Prix unitaire : Fr. 0.28000
Fiche technique

Direct


Rohm Semiconductor
En stock: 2’865
Prix unitaire : Fr. 0.26000
Fiche technique

Direct


Nexperia USA Inc.
En stock: 125
Prix unitaire : Fr. 0.11000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 8’656
Prix unitaire : Fr. 0.18000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 3’855
Prix unitaire : Fr. 0.16000
Fiche technique

Similaire


Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.03420
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 1’994
Prix unitaire : Fr. 0.23000
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.26000
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 446
Prix unitaire : Fr. 0.26000
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 60’934
Prix unitaire : Fr. 0.26000
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 21’341
Prix unitaire : Fr. 0.26000
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 2’712
Prix unitaire : Fr. 0.38000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.10000
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.10000
Fiche technique
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 200 mW Montage en surface SC-75, SOT-416
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DTC123EET1

Numéro de produit DigiKey
DTC123EET1-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DTC123EET1
Description
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 200 mW Montage en surface SC-75, SOT-416
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DTC123EET1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Résistance - Base d'émetteur (R2)
2.2 kOhms
Fabricant
onsemi
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
8 à 5mA, 10V
Conditionnement
Bande et bobine
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
250mV à 5mA, 10mA
Statut du composant
Obsolète
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
500nA
Type de transistor
NPN - Prépolarisé
Puissance - Max.
200 mW
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Type de montage
Montage en surface
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
50 V
Boîtier
SC-75, SOT-416
Résistances incluses
R1 et R2
Boîtier fournisseur
SC-75, SOT-416
Résistance - Base (R1)
2.2 kOhms
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (18)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DDTC123EE-7Diodes Incorporated3’000DDTC123EEDICT-NDFr. 0.28000Direct
DTC123EETLRohm Semiconductor2’865DTC123EETLCT-NDFr. 0.26000Direct
PDTC123EU,115Nexperia USA Inc.1251727-1706-1-NDFr. 0.11000Direct
DDTC123TCA-7-FDiodes Incorporated8’656DDTC123TCA-FDICT-NDFr. 0.18000Similaire
DDTC123TE-7-FDiodes Incorporated3’855DDTC123TE-FDICT-NDFr. 0.16000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.
Non annulable/Non remboursable