EFC3C001NUZTCG est obsolète et n'est plus fabriqué.
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En stock: 5’000
Prix unitaire : Fr. 0.14422
Fiche technique
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EFC3C001NUZTCG

Numéro de produit DigiKey
EFC3C001NUZTCG-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
EFC3C001NUZTCG
Description
MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1,6W Montage en surface 4-WLCSP (1,26x1,26)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
EFC3C001NUZTCG Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 à canal N (double), drain commun
Fonction FET
Porte de niveau logique, attaque 2,5V
Tension drain-source (Vdss)
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
-
Rds On (max.) à Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) à Id
1,3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
-
Puissance - Max.
1,6W
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
4-XFBGA, WLCSP
Boîtier fournisseur
4-WLCSP (1,26x1,26)
Numéro de produit de base
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Obsolète
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