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EMD4DXV6T5G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
EMD4DXV6T5G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | EMD4DXV6T5G-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | EMD4DXV6T5G |
Description | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563 |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 1 NPN, 1 PNP - Prépolarisé (double) 50V 100mA 500mW Montage en surface SOT-563 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | EMD4DXV6T5G Modèles |
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Catégorie | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 80 à 5mA, 10V |
Fabricant onsemi | Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 250mV à 300µA, 10mA |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 500nA |
Statut du composant Obsolète | Puissance - Max. 500mW |
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Prépolarisé (double) | Type de montage Montage en surface |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA | Boîtier SOT-563, SOT-666 |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50V | Boîtier fournisseur SOT-563 |
Résistance - Base (R1) 47kohms, 10kohms | Numéro de produit de base |
Résistance - Base d'émetteur (R2) 47kohms |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| EMD4DXV6T1G | onsemi | 10’444 | EMD4DXV6T1GOSCT-ND | Fr. 0.30000 | Recommandation fabricant |
| DCX114TH-7 | Diodes Incorporated | 0 | DCX114TH-7-ND | Fr. 0.07664 | Similaire |
| DCX143TH-7 | Diodes Incorporated | 0 | DCX143TH-7-ND | Fr. 0.07358 | Similaire |
| DCX144EH-7 | Diodes Incorporated | 13’152 | DCX144EH-7DICT-ND | Fr. 0.44000 | Similaire |
| DDC143EH-7 | Diodes Incorporated | 2’300 | 31-DDC143EH-7CT-ND | Fr. 0.37000 | Similaire |
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