Name: FCD4N60TM
Brand: onsemi
SKU: FCD4N60TMTR-ND
Price: 1.93499 CHF
Availability: InStock

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FCD4N60TM
Numéro de produit DigiKey	FCD4N60TMTR-ND - Bande et bobine FCD4N60TMCT-ND - Bande coupée (CT) FCD4N60TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCD4N60TM
Description	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 3,9 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FCD4N60TM Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	540 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FCD4N60