Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 5.96712 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FCMT080N65S3
Numéro de produit DigiKey	488-FCMT080N65S3TR-ND - Bande et bobine 488-FCMT080N65S3CT-ND - Bande coupée (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCMT080N65S3
Description	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 38 A (Tc) 260W (Tc) Montage en surface 4-TDFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 880µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 71 nC @ 10 V
Série SuperFET® III	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2765 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 260W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur 4-TDFN (8x8)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38 A (Tc)	Boîtier 4-PowerTSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FCMT080
Rds On (max.) à Id, Vgs 80mohms à 19A, 10V