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FCP190N60-GF102 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FCP190N60-GF102 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FCP190N60-GF102-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FCP190N60-GF102 |
Description | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 20,2 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FCP190N60-GF102 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 74 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2950 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur TO-220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 199mohms à 10A, 10V |
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Substituts (12)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NTP185N60S5H | onsemi | 760 | 488-NTP185N60S5H-ND | Fr. 3.39000 | Recommandation fabricant |
| IPP60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 8’308 | IPP60R180P7XKSA1-ND | Fr. 2.43000 | Similaire |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | Fr. 4.11000 | Similaire |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | Fr. 1.61834 | Similaire |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 861 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | Fr. 4.14000 | Similaire |
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