Name: FDB088N08
Brand: onsemi
SKU: FDB088N08TR-ND
Price: 3.05923 CHF
Availability: InStock

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FDB088N08
Numéro de produit DigiKey	FDB088N08TR-ND - Bande et bobine FDB088N08CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB088N08
Description	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 120 A (Tc) 160W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDB088N08 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,8mohms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6595 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	160W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FDB088

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Date de dernière disponibilité : 01/01/2026

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Bande coupée (CT)