FDB8444 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FDB8444
Numéro de produit DigiKey	FDB8444TR-ND - Bande et bobine FDB8444CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB8444
Description	MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 70 A (Tc) 167W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	70 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,5mohms à 70A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8035 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FDB844

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Bande coupée (CT)