FDB86360_SN00307 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FDB86360_SN00307 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

onsemi

En stock: 261

Prix unitaire : Fr. 5.13000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDB86360_SN00307
Numéro de produit DigiKey	FDB86360_SN00307-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB86360_SN00307
Description	MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 110 A (Tc) 333W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,8mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	253 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14600 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	333W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	FDB863