FDC855N onsemi | FET, MOSFET simples

FDC855N est obsolète et n'est plus fabriqué.

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FDC855N
Numéro de produit DigiKey	FDC855NTR-ND - Bande et bobine FDC855NCT-ND - Bande coupée (CT) FDC855NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDC855N
Description	MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 6,1 A (Ta) 1,6W (Ta) Montage en surface SuperSOT™-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDC855N Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 655 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur SuperSOT™-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,1 A (Ta)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDC855
Rds On (max.) à Id, Vgs 27mohms à 6,1A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
RSQ020N03TR	Rohm Semiconductor	1’343	RSQ020N03CT-ND	Fr. 0.81000	Similaire
RTQ020N03TR	Rohm Semiconductor	4’551	RTQ020N03CT-ND	Fr. 0.70000	Similaire
RTQ045N03TR	Rohm Semiconductor	5’223	RTQ045N03CT-ND	Fr. 0.87000	Similaire
TSM240N03CX6 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	5’382	TSM240N03CX6RFGCT-ND	Fr. 0.58000	Similaire

Obsolète

Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.

FDC855N