FDD068AN03L onsemi | FET, MOSFET simples

FDD068AN03L est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

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FDD068AN03L
Numéro de produit DigiKey	FDD068AN03L-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD068AN03L
Description	MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 17 A (Ta), 35 A (Tc) 80W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD068AN03L Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Série PowerTrench®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2525 pF @ 15 V
Conditionnement Bande et bobine	Dissipation de puissance (max.) 80W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Ta), 35 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,7mohms à 35A, 10V	Numéro de produit de base FDD068
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN3009SK3-13	Diodes Incorporated	2’359	31-DMN3009SK3-13CT-ND	Fr. 0.77000	Similaire
STD17NF03LT4	STMicroelectronics	3’347	497-3155-1-ND	Fr. 0.74000	Similaire
TSM060N03CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	5’888	TSM060N03CPROGCT-ND	Fr. 1.04000	Similaire

Obsolète

Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.

Non annulable/Non remboursable

FDD068AN03L