Name: FDD306P
Brand: onsemi
SKU: FDD306PTR-ND
Price: 1.36206 CHF
Availability: InStock

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FDD306P
Numéro de produit DigiKey	FDD306PTR-ND - Bande et bobine FDD306PCT-ND - Bande coupée (CT) FDD306PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD306P
Description	MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	30 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 6,7 A (Ta) 52W (Ta) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD306P Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 4.5 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1290 pF @ 6 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 52W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,7 A (Ta)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Numéro de produit de base FDD306
Rds On (max.) à Id, Vgs 28mohms à 6,7A, 4,5V