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FDD3N50NZTM | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDD3N50NZTMTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDD3N50NZTM |
Description | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 2,5 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDD3N50NZTM Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±25V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 280 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5ohms à 1,25A, 10V |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N50NZTM | onsemi | 4’748 | FDD5N50NZTMCT-ND | Fr. 1.35000 | Recommandation fabricant |
| IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 14’442 | 448-IPD50R2K0CEAUMA1CT-ND | Fr. 0.62000 | Similaire |
| IRFR420APBF | Vishay Siliconix | 1’394 | IRFR420APBF-ND | Fr. 1.89000 | Similaire |
| IRFR420ATRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFR420ATRLPBF-ND | Fr. 0.50262 | Similaire |
| IRFR420PBF | Vishay Siliconix | 5’427 | IRFR420PBF-ND | Fr. 1.97000 | Similaire |
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