FDD6N50FTM onsemi | FET, MOSFET simples

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FDD6N50FTM
Numéro de produit DigiKey	FDD6N50FTMTR-ND - Bande et bobine FDD6N50FTMCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD6N50FTM
Description	MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 5,5 A (Tc) 89W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19.8 nC @ 10 V
Série UniFET™	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 960 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 89W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDD6N50
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,15ohms à 2,75A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FCD620N60ZF	onsemi	0	FCD620N60ZFCT-ND	Fr. 2.31000	Recommandation fabricant
STD6N52K3	STMicroelectronics	2’500	497-10118-1-ND	Fr. 1.52000	Similaire
STD7N52K3	STMicroelectronics	0	497-10016-2-ND	Fr. 0.45604	Similaire

En stock: 6’011

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Non annulable/Non remboursable

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2’500	Fr. 0.39996	Fr. 999.90
5’000	Fr. 0.37840	Fr. 1’892.00

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.43000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.54583

FDD6N50FTM