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FDD6N50TM-WS est obsolète et n'est plus fabriqué.
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FDD6N50TM-WS | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDD6N50TM-WSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDD6N50TM-WS |
Description | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 6 A (Tc) 89W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 500 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 900mohms à 3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 16.6 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 9400 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 89W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-252AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
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