Name: FDD86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86102LZFSTR-ND
Price: 2.02147 CHF
Availability: InStock

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FDD86102LZ
Numéro de produit DigiKey	FDD86102LZFSTR-ND - Bande et bobine FDD86102LZFSCT-ND - Bande coupée (CT) FDD86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD86102LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 8 A (Ta), 35 A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD86102LZ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1540 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 54W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Ta), 35 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDD86102
Rds On (max.) à Id, Vgs 22,5mohms à 8A, 10V